(кристалла к подложке)

См. также в других словарях:

• Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …   Википедия

• ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …   Физическая энциклопедия

• ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… …   Химическая энциклопедия

• Duron —      Duron   >> Центральный процессор …   Википедия

• Алмаз — У этого термина существуют и другие значения, см. Алмаз (значения). Алмаз Алмаз в материнской породе Формула C …   Википедия

• Pentium 4 — <<   Pentium 4   >> Центральный процессор Производство …   Википедия

• Willamette — <<   Pentium 4   >> Центральный процессор Производство: с 2000 по 2008 год Производитель: ЦП: 1300 3800 МГц Частота FSB …   Википедия

• Athlon XP — <<   Athlon XP   >> Центральный процессор …   Википедия

• Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… …   Википедия

• Athlon — <<   Athlon   >> Центральный процессор …   Википедия

• Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок)         ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) …   Большая советская энциклопедия